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PARAMETERS Collector-Emitter Breakdown Voltage = +25oC, Unless Otherwise Specified SYMBOL BVCES TEST CONDITIONS ICE = -250�A VCL = -600V IEC = 1mA VCE = BVCES VCE = 0.8 BVCES Collector-Emitter Saturation Voltage VCE(SAT) ICE = -3.0A VGE = -15V VGE = 0V MIN -500 TYP MAX UNIT V. EL5197 : op Amp, 200MHz, Fixed Gain Amplifier (+1, -1, +2), Single 5/10V or Dual Supply 2.5V to 5V. APT60M60JLL : . Power MOS is a new generation of low loss, high voltage, N-Channel enhancement mode power MOSFETS. Both conduction and switching losses are addressed with Power MOS 7TM by significantly lowering RDS(ON) and Qg. Power MOS 7TM combines lower conduction and switching losses along with exceptionally fast switching speeds inherent with APT's patented metal. STPS5L25 : Schottky Barrier Low drop power Schottky rectifier. Very low forward voltage drop for less power dissipation and reduced heatsink Optimized conduction/reverse losses trade-off which means the highest efficiency in the applications High power surface mount miniature package Avalanche capability specified Single Schottky rectifier suited to switched mode power supplies and high frequency to DC converters. 2N4901SMD-JQR : 5 A, 40 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-276AB. O primeiro grande impacto, quando a proposta foi apresentada em maior escala, foi na atualização do iOS 13, sistema operacional dos google você joga free fire celulares da Apple.
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