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    IGBT is very suitable for applications such as AC motors, inverters, switching power supplies, lighting circuits, traction drives and other fields. The internal structure of MOSFET and IGBT is shown in the figure below. The IGBT is constructed by adding an additional layer to the drain of the MOSFET. IGBT ideal equivalent circuit. Ⅳ MOSFETs or IGBTs, Which one should we use? MOSFET and IGBT application characteristics. Common Application Areas for MOSFETs and IGBTs. Finally, if the electronic components need to carry out high-speed switching action, MOSFETs have an absolute advantage, mainly because of the integration of BJT of the IGBT. Modelo rank em apostas esportivas.Oferecendo um bônus de boas-vindas sensacional, além de muitas ofertas de apostas grátis, a Betano se destaca no mercado brasileiro.
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    Transistor de efeito de campo semicondutor de óxido de metal (MOSFET) Os MOSFETs estão disponíveis em quatro tipos diferentes, como o canal n ou o canal p, com modo de depleção ou aprimoramento. O dreno e a fonte são feitos de semicondutores de tipo n para MOSFET de canal n e, de forma semelhante, para dispositivos de canal p. O portão é feito de metal e separado da fonte e do dreno usando um óxido metálico. Este isolamento causa baixo consumo de energia, e é uma vantagem no MOSFET. Portanto, o MOSFET é usado na lógica CMOS digital, onde os MOSFETs de canal p e n são usados ​​como blocos de construção para minimizar o consumo de energia. Transistor Bipolar de Porta Isolada (IGBT) O IGBT possui os recursos combinados do MOSFET e do transistor de junção bipolar (BJT). É portado como MOSFET e possui características de tensão atuais como BJTs. Portanto, tem as vantagens de capacidade de gerenciamento de alta corrente e facilidade de controle. Os módulos IGBT (consiste em vários dispositivos) podem lidar com quilowatts de energia. 1. Embora ambos os IGBT e MOSFET sejam dispositivos controlados por tensão, o IGBT possui características de condução BJT. 3.

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