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This paper examines the practical challenges of simplified setups aimed at achieving high-power IGBTs’ I C – V CE curve. The slope of this I–V curve (which is defined as on-resistance R CE ) and the point where the V CE – V GE curve visibly bends (threshold gate voltage) can be suitable failure precursor parameters to determine an IGBT’s health condition. A simplified/affordable design for these specific measurements can be used for in-situ condition monitoring or field testing of switching devices. First, the possible I–V curve measurement methods are discussed in detail in order to prevent self-heating. The selected design includes two IGBTs in which the high-side IGBT was the device under test (DUT) with a constant gate voltage ( V GE ) of 15 V. Then, the low-side IGBT was switched by a short pulse (50 μs) to impose a high-current pulse on the DUT. The V CE – V GE curve was also extracted as an important failure-precursor indicator. Uma dica jogo rusbe interessante é salvar ou converter no formato PDF para não desconfigurar as imagens e manter a qualidade da resolução. 15 ideias legais de decoração para quarto teen! O jogo rusbe processo de KYC é feito quando o apostador envia cópias de seus documentos pessoais para o cassino online. The internal resistance increased by 13%, while the initial collector-emitter voltage and voltage at the knee point in the V CE – V GE curve slightly changed. It is likely that in our case, during the performed power-cycling test and aging process, the bond wires were most affected, but this hypothesis needs further investigation. Série de CS:GO dura mais do que jogos jogo rusbe de outros esportes.
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