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Comparação entre MOSFETs e IGBTs - Qual o melhor em aplicações até 100 kHz? Como escolher o dispositivo ideal para uma aplicação? Quais são as diferenças, principalmente relativas à perdas entre os dois tipos de dispositivos? Uma das preocupações que o engenheiro de projetos de sistemas de potência tem nos dias atuais é escolher o dispositivo ideal de controle para a sua aplicação. Para os tipos básicos de IGBT e MOSFET a diferença principal está na estrutura interna. Enquanto no MOSFET a conexão de dreno está em contacto direto com a camada -n, no IGBT existe uma camada adicional +p que é justamente o elemento bipolar. Para um IGBT a resistência em condução é muito menor devido a modulação de portadores de carga. Para o MOSFET o tempo que o transistor leva para deixar de conduzir a corrente depende apenas da capacitância de gate, enquanto que para o IGBT este tempo é maior, dependendo das características da própria estrutura do semicondutor. Por este motivo, os IGBTs são preferidos para as aplicações que operam com baixas frequências de comutação, enquanto que os MOSFETs de potência têm um melhor desempenho nas aplicações em que correntes de frequências mais elevadas devam ser controladas. Assim, para os IGBTs existem tecnologias novas como a Trench e Fieldstop que possibilitam uma redução da tensão de saturação Coletor-Emissor (V ce(sat) ). Outras tecnologias possibilitam uma redução nas perdas dinâmicas. Para os MOSFETs existem também novas tecnologias disponíveis que reduzem as perdas inerentes de condução o que torna o dispositivo eficiente em frequências que atingem algumas centenas de quilohertz. Se não existem dúvidas de que, nas baixas frequências, o melhor é usar um IGBT e nas altas frequências um MOSFET de potência, o que fazer quando temos um projeto que opere numa faixa intermediária de frequências? O que vamos fazer a seguir é uma comparação entre os IGBTs e os MOSFETs de potência mais modernos verificando a eficiência de cada um nas aplicações para a faixa média de frequências. Figura 19 – Símbolos para o IGBT e MOSFET. It has been described as six to seven feet tall and covered with dark criar conta pixbet hair. [ citation needed ] According to the native accounts from the nomadic Yakut and Tungus tribes, it is a well built, Neanderthal-like man wearing pelts and bearing a criar conta pixbet white patch of fur on its forearms. Conforme podemos pelas curvas, o IGBT leva vantagens em relação ao FET nas baixas frequências até uns 30 kHz, enquanto que o MOSFET leva vantagens acima de uns 60 kHz, principalmente quando passamos dos 100 kHz.
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