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. It is a type of semiconductor device that combines the advantages of two other types of transistors - the high input impedance of a MOSFET and the low on-state voltage drop of a bipolar junction transistor (BJT). An IGBT has high input impedance like a MOSFET and low-on-state power loss as in a BJT. Further, IGBT is free from second breakdown problem present in BJT. IGBT is also known as metal-oxide insulated gate transistor (MOSIGT),conductively-modulated field effect transistor (COMFET) or gain-modulated FET (GEMFET). It was also initially called insulated gate transistor (IGT). The IGBT combines the fast switching speed of MOSFETs with the low on-state voltage drop of BJTs, making it a highly efficient and reliable semiconductor device for power electronic applications. The basic structure of an IGBT consists of a P-type substrate, an N+ buffer layer, an N-type drift region, a P-type body region, and an N+ source region. The gate is located between the N+ buffer layer and the P-type body region and is separated from the body region by a thin insulating layer. It is constructed virtually in the same manner as a power MOSFET. There is, however; a major difference in the substrate. The n+ layer substrate at the drain in a power MOSFET is now substituted in the IGBT by a p+ layer substrate called collector. Like a power MOSFET, an IGBT has also thousands of basic structure cells connected appropriately on a single chip of silicon.
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