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Estruturas básicas do IGBT. A estrutura PT (Punch Through = socada através) tem camadas epitaxiais características e uma região N+ dopada (camada buffer) e uma região N- sobre um substrato dopado com polaridade p. O tempo de vida dos portadores de carga é minimizado pela forte difusão de metal, ou por radiação de alta energia. Em ambos os casos a estrutura de célula de um IGBT típico é formada do lado frontal. OS IGBTs são componentes usados principalmente como comutadores em conversores de frequência, inversores, etc. Esta proteção é feita com o uso de diodos. A carga armazenada tem que ser removida inicialmente para que o diodo bloqueie a tensão. Isso faz com que apareça uma corrente que se soma à corrente da carga, a qual é chamada de corrente reversa de recuperação do diodo ou Irr. O máximo da corrente Irr ocorre quando a soma das tensões instantâneas sobre o IGBT e o diodo igualam a tensão de alimentação, de acordo com exemplo no gráfico da figura 7. Este pico de tensão é responsável por perdas e exige um aumento no tempo morto entre a condução de dois dispositivos semelhantes quando usados numa configuração de meia-ponte. O Efeito Miller nada mais é do que a realimentação da tensão coletor-emissor (Vce) através da capacitância existente entre a comporta e o coletor do dispositivo (Cgc). ig = Cgc(Vce) x dVce/dt. Ae aposta esportiva com.Todos aqueles que aderem ao programa têm direito a um consultor VIP pessoal que os poderá dirigir ao mercado e ajudá-los nas transacções e, além disso, os utilizadores VIP beneficiam de promoções exclusivas.
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